上記（概念図：１）は、それぞれ単結晶・多結晶・非晶質の材料を例として示しています。単結晶材料は、全ての結晶面が均一であるため平坦な舗装道路のように移動度が高く、電子が高速で流れます。多結晶材料は、多数の結晶粒の集まりであるためその境目に凸凹があり舗装が途切れた道路となって電子が高速に流れず、移動度が落ちます。非晶質材料（アモルファス）は、均一に結合していないため舗装が無い凸凹道になり電子が高速に走れず、移動度は更に低下します。

電気接点は綺麗に滑らかに加工してあるように見えますが、実際にはミクロ状で見ると非常に粗い面で凸凹道のようになっており、それらが接触しても「点と点」との接触であるために、極めて電子の移動を妨げてしまいます。その凸凹道に、世界で唯一の５ナノメータ(大よそ髪の毛の1/10,000)ナノダイヤ粒子（概念図：２）が無数入り込んで表面を均一化することで凸凹道が最高級の舗装道路になって電子が高速に移動できるようになるのです（概念図：３）。

すると、（電気伝導率はその接点材料の特長によりますが）電子移動度との積に比例して超高速で電子が流れるように改善されることで電気伝導率が改善されます。非常に複雑で微妙な信号伝達を求める音響・通信分野・並びに大きな電流を流す電力接点には、その接点抵抗が低下し接点の自己発熱を低下させることで電力損失を改善します。

このナノダイヤ粒子は内部のダイヤモンドが半導体化しており、そのナノダイヤ粒子の電子移動度は電子で約１８００／正孔で約１６００であり、超高速半導体のＧａＡｓ最先端技術による材料は、電子で、約８０００／正孔で４００であり、この材料に次ぐ電子移動度に優れた材料です。金属は全てが接触点の温度が上がると電気抵抗は増加しますが、半導体は逆に低下する傾向があります。その半導体化された粒子が接点の隙間に無数に入り込んで電気抵抗を低減させるとともに、熱伝導が良いので内部発熱を放出する事も加わり、高周波電流がより流れやすくなります。